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分离式半导体产品 CSD86311W1723品牌、价格、PDF参数

CSD86311W1723 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
CSD86311W1723 Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 0 1:$1.53000
10:$1.35600
25:$1.22400
100:$1.07100
250:$0.93924
500:$0.83300
1,000:$0.65875
CSD86311W1723 Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 0 3,000:$0.59500
6,000:$0.56500
15,000:$0.54400
30,000:$0.52700
75,000:$0.51000
CSD86311W1723 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 39 毫欧 @ 2A，8V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 585pF @ 12.5V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 12-UFBGA，DSBGA
供应商设备封装: 12-DSBGA（2.43x1.96）
包装: 剪切带 (CT)
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