型号

分离式半导体产品 PHKD3NQ10T,518品牌、价格、PDF参数

PHKD3NQ10T,518 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHKD3NQ10T,518 NXP Semiconductors MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC 0 10,000:$0.54272
PHKD3NQ10T,518 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 N 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 633pF @ 20V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020