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分离式半导体产品 BSD223P H6327品牌、价格、PDF参数

BSD223P H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSD223P H6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363 0
BSD223P H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 P 沟道（双）
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 390mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.2V @ 1.5µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 56pF @ 15V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: PG-SOT363-6
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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