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分离式半导体产品 SMMB911DK-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SMMB911DK-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SMMB911DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC75-6L 0 3,000:$2.66000
SMMA511DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 12V PPAK SC70-6L 0 3,000:$2.14130
SMMB911DK-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: 2 个 P 沟道（双）
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 295 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 115pF @ 10V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-75-6L 双
供应商设备封装: PowerPAK? SC-75-6L 双
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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