分离式半导体产品 SP8M8FU6TB品牌、价格、PDF参数

SP8M8FU6TB • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SP8M8FU6TB Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC 0 2,500:$0.55720
SP8K3FU6TB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH DUAL 30V 7A 8SOIC 0 2,500:$0.60480
SP8M7FU6TB Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC 0
SP8M5FU6TB Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC 0 2,500:$0.75735
SP8K24FU6TB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH DUAL 45V 6A 8SOIC 0 2,500:$0.87615
SP8J65TB1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC 0 2,500:$0.96255
SP8J5FU6TB Rohm Semiconductor MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC 0 2,500:$0.97605
SP8J66TB1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC 0 2,500:$1.12320
SP8M8FU6TB • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A,4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)