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分离式半导体产品 US6M11TR品牌、价格、PDF参数

US6M11TR • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
US6M11TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 0 3,000:$0.19530
US6M11TR • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V，12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.5A，1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: UMT6
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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