分离式半导体产品 DMN2019UTS-13品牌、价格、PDF参数

DMN2019UTS-13 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
DMN2019UTS-13	Diodes Inc	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8	0	2,500:$0.14025 5,000:$0.13175 12,500:$0.12325 25,000:$0.11305 62,500:$0.10880 125,000:$0.10455

DMN2019UTS-13 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	2 个 N 沟道（双）
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	5.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	18.5 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	950mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	8.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	143pF @ 10V
功率 - 最大:	780mW
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装:	8-TSSOP
包装:	带卷 (TR)

电子产品资料

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