型号

半导体模块 APTM100A12STG品牌、价格、PDF参数

APTM100A12STG • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
APTM100A12STG Microsemi Power Products Group MOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W 0
APTM100U13SG Microsemi Power Products Group MOSFET N-CH 1000V 65A J3 0
APTM120UM95FAG Microsemi Power Products Group MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 0
APTM20AM05FTG Microsemi Power Products Group MOSFET MODULE PHASE LEG LP8 0
APTM100A12STG • PDF参数
类别: 半导体模块
FET 型: 2 N 沟道（半桥）
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 68A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 120 毫欧 @ 34A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 616nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 17400pF @ 25V
功率 - 最大: 1250W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商设备封装: SP3
包装: 散装
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020