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半导体模块 APTGT50H120TG品牌、价格、PDF参数

APTGT50H120TG • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
APTGT50H120TG Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 0 10:$102.35600
APTGT100DH120TG Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 0 10:$98.07700
APTGT50H120TG • PDF参数
类别: 半导体模块
IGBT 类型: 沟道和场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）: 2.1V @ 15V，50A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 75A
电流 - 集电极截止（最大）: 250µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 3.6nF @ 25V
功率 - 最大: 277W
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP4
供应商设备封装: SP4
电脑版（www.mmic.net.cn）
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