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半导体模块 MWI50-12T7T品牌、价格、PDF参数

MWI50-12T7T • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
MWI50-12T7T IXYS MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 0 6:$95.71167
MWI50-12T7T • PDF参数
类别: 半导体模块
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）: 2.15V @ 15V，50A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 80A
电流 - 集电极截止（最大）: 4mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 3.5nF @ 25V
功率 - 最大: 270W
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
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