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分离式半导体产品 SI2300DS-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI2300DS-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SOT-23 1,801 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SOT-23 1,801 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI2300DS-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 68 毫欧 @ 2.9A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 320pF @ 15V
功率 - 最大: 1.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3（TO-236）
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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