分离式半导体产品 BSO303SP H品牌、价格、PDF参数

BSO303SP H • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
BSO303SP H	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO	2,500	2,500:$0.51758 5,000:$0.49170 12,500:$0.47137 25,000:$0.45843 62,500:$0.44364

BSO303SP H • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	7.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	21 毫欧 @ 9.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	54nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	2330pF @ 25V
功率 - 最大:	1.56W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	PG-DSO-8
包装:	带卷 (TR)

电子产品资料

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