分离式半导体产品 SIE836DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE836DF-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SIE836DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK	540	1:$2.70000 25:$2.07920 100:$1.88650 250:$1.69400 500:$1.46300 1,000:$1.23200
SIJ458DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8-SOIC	498	1:$2.22000 25:$1.71440 100:$1.55580 250:$1.39700 500:$1.20650 1,000:$1.01600

SIE836DF-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	18.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	130 毫欧 @ 4.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	1200pF @ 100V
功率 - 最大:	104W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	10-PolarPAK?（SH）
供应商设备封装:	10-PolarPAK?（SH）
包装:	剪切带 (CT)

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