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分离式半导体产品 SIJ458DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIJ458DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIJ458DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8-SOIC 498 1:$2.22000
25:$1.71440
100:$1.55580
250:$1.39700
500:$1.20650
1,000:$1.01600
SIJ458DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.2 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4810pF @ 15V
功率 - 最大: 69.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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