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分离式半导体产品 SIE836DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE836DF-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIE836DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK 0 3,000:$1.03950
6,000:$1.00100
15,000:$0.96250
30,000:$0.94325
75,000:$0.92400
SIE836DF-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫欧 @ 4.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?（SH）
供应商设备封装: 10-PolarPAK?（SH）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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