型号

分离式半导体产品 IPD180N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD180N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD180N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 4,878 1:$1.68000
10:$1.50600
25:$1.32920
100:$1.19610
250:$1.04104
500:$0.93030
1,000:$0.73095
IPD180N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 43A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 33A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 33µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 50V
功率 - 最大: 71W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020