型号
分离式半导体产品 IPD088N06N3 G品牌、价格、PDF参数
IPD088N06N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPD088N06N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
2,500
2,500:$0.52906
5,000:$0.50261
12,500:$0.48182
25,000:$0.46860
62,500:$0.45348
BSZ0904NSI
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
5,000
5,000:$0.52735
10,000:$0.50554
25,000:$0.49166
50,000:$0.47580
IPD088N06N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
8.8 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 34µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
48nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
3900pF @ 30V
功率 - 最大:
71W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:
PG-TO252-3
包装:
带卷 (TR)
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