型号

分离式半导体产品 SIE822DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE822DF-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIE822DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK 0 3,000:$1.28250
6,000:$1.23500
15,000:$1.18750
30,000:$1.16375
75,000:$1.14000
SIE822DF-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 毫欧 @ 18.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 10V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?（S）
供应商设备封装: 10-PolarPAK?（S）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020