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分离式半导体产品 PHD38N02LT,118品牌、价格、PDF参数

PHD38N02LT,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHD38N02LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK 0 10,000:$0.42240
BUK78150-55A,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 0 1,000:$0.17748
2,000:$0.16182
5,000:$0.15138
10,000:$0.14094
25,000:$0.13363
50,000:$0.13050
100,000:$0.12841
PMN50XP,165 NXP Semiconductors MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP 0 10,000:$0.16900
PHD38N02LT,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 44.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 25A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 800pF @ 20V
功率 - 最大: 57.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
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