型号

分离式半导体产品 SPN02N60C3 E6433品牌、价格、PDF参数

SPN02N60C3 E6433 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SPN02N60C3 E6433 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 0
SPN02N60C3 E6433 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 400mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.5 欧姆 @ 1.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.9V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装: PG-SOT223-4
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020