型号
分离式半导体产品 SPN02N60C3 E6433品牌、价格、PDF参数
SPN02N60C3 E6433
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SPN02N60C3 E6433
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
0
SPN02N60C3 E6433
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
400mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
2.5 欧姆 @ 1.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3.9V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
200pF @ 25V
功率 - 最大:
1.8W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:
PG-SOT223-4
包装:
带卷 (TR)
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