型号
分离式半导体产品 BSS806N L6327品牌、价格、PDF参数
BSS806N L6327
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
BSS806N L6327
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
0
BSS806N L6327
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
750mV @ 11µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
1.7nC @ 2.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
529pF @ 10V
功率 - 最大:
500mW
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:
PG-SOT23-3
包装:
带卷 (TR)
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