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分离式半导体产品 IPI032N06N3 G品牌、价格、PDF参数

IPI032N06N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPI032N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 0
IPI032N06N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 118µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13000pF @ 30V
功率 - 最大: 188W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装: PG-TO262-3
包装: 管件
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