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分离式半导体产品 BSD214SN H6327品牌、价格、PDF参数

BSD214SN H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSD214SN H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 0
IPP037N08N3 G E8181 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 0
IPS110N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 0
BSS816NW L6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 0
BSD214SN H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.2V @ 3.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 143pF @ 10V
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装: PG-SOT363-6
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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