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分离式半导体产品 FDD86113LZ品牌、价格、PDF参数

FDD86113LZ • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
FDD86113LZ Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 4,980 1:$1.34000
10:$1.18000
25:$1.06560
100:$0.93240
250:$0.81772
500:$0.72520
1,000:$0.57350
FDD86113LZ • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 104 毫欧 @ 4.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 285pF @ 50V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: TO-252-3
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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