分离式半导体产品 FDD86113LZ品牌、价格、PDF参数

FDD86113LZ • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
FDD86113LZ	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3	2,500	2,500:$0.51800 5,000:$0.49210 12,500:$0.47360 25,000:$0.45880 62,500:$0.44400
FDD5N50NZFTM	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 500V DPAK	2,499	1:$1.19000 10:$1.05000 25:$0.94760 100:$0.82910 250:$0.72708 500:$0.64484 1,000:$0.50995

FDD86113LZ • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	4.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	104 毫欧 @ 4.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	285pF @ 50V
功率 - 最大:	3.1W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:	TO-252-3
包装:	带卷 (TR)

电子产品资料

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