分离式半导体产品 STS19N3LLH6品牌、价格、PDF参数

STS19N3LLH6 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
STS19N3LLH6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC 2,490 1:$1.41000
10:$1.24400
25:$1.12320
100:$0.98280
250:$0.86192
500:$0.76440
1,000:$0.60450
STL56N3LLH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT 2,250 1:$1.41000
10:$1.24400
25:$1.12320
100:$0.98280
250:$0.86192
500:$0.76440
1,000:$0.60450
STL56N3LLH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT 2,250 1:$1.41000
10:$1.24400
25:$1.12320
100:$0.98280
250:$0.86192
500:$0.76440
1,000:$0.60450
STL56N3LLH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT 0 3,000:$0.54600
6,000:$0.51870
15,000:$0.49920
30,000:$0.48360
75,000:$0.46800
STS19N3LLH6 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.6 毫欧 @ 9.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 15V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1690pF @ 25V
功率 - 最大: 2.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 剪切带 (CT)