型号
分离式半导体产品 IPB023N06N3 G品牌、价格、PDF参数
IPB023N06N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPB023N06N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
1,990
1:$3.00000
10:$2.70000
25:$2.45000
100:$2.20000
250:$2.00000
500:$1.75000
IPB023N06N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
140A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
2.3 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 141µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
198nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
16000pF @ 30V
功率 - 最大:
214W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装:
PG-TO263-7
包装:
剪切带 (CT)
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