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分离式半导体产品 STH180N10F3-2品牌、价格、PDF参数

STH180N10F3-2 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
STH180N10F3-2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK 1,955 1:$5.90000
10:$5.28900
25:$4.75600
100:$4.32550
250:$3.91552
500:$3.50550
STH180N10F3-2 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫欧 @ 60A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 114.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6665pF @ 25V
功率 - 最大: 315W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: H²PAK
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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