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分离式半导体产品 BSS306N H6327品牌、价格、PDF参数

BSS306N H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSS306N H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 3,000 3,000:$0.08856
6,000:$0.08364
15,000:$0.07626
30,000:$0.07134
75,000:$0.06396
150,000:$0.06150
BSS306N H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 57 毫欧 @ 2.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 11µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 275pF @ 15V
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: PG-SOT23-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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