型号
分离式半导体产品 STB36NM60N品牌、价格、PDF参数
STB36NM60N
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
STB36NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
0
1,000:$6.70320
2,000:$6.45120
5,000:$6.24960
10,000:$6.04800
STB36NM60N
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
29A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
105 毫欧 @ 14.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
83.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2722pF @ 100V
功率 - 最大:
210W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:
D²PAK
包装:
带卷 (TR)
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