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分离式半导体产品 IPD320N20N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD320N20N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 12,218 1:$3.09000
10:$2.65200
25:$2.38640
100:$2.16560
250:$1.94460
500:$1.67942
1,000:$1.41424
IPD320N20N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 34A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 34A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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