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分离式半导体产品 BSZ16DN25NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSZ16DN25NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSZ16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 5,000 5,000:$0.90155
10,000:$0.86688
25,000:$0.84954
50,000:$0.83220
BSZ16DN25NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 165 毫欧 @ 5.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 32µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: -
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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