型号

分离式半导体产品 BSS308PE H6327品牌、价格、PDF参数

BSS308PE H6327 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSS308PE H6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23 9,000 3,000:$0.10134
6,000:$0.09571
15,000:$0.08727
30,000:$0.08164
75,000:$0.07319
150,000:$0.07038
BSZ900N20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 9,672 1:$2.28000
10:$1.95800
25:$1.76240
100:$1.59910
250:$1.43596
500:$1.24014
1,000:$1.04432
2,500:$0.94642
BSS308PE H6327 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫欧 @ 2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 11µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 500pF @ 15V
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装: PG-SOT23-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020