型号
分离式半导体产品 BSZ900N20NS3 G品牌、价格、PDF参数
BSZ900N20NS3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
9,672
1:$2.28000
10:$1.95800
25:$1.76240
100:$1.59910
250:$1.43596
500:$1.24014
1,000:$1.04432
2,500:$0.94642
BSZ900N20NS3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
15.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
90 毫欧 @ 7.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 30µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
11.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
920pF @ 100V
功率 - 最大:
62.5W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-PowerTDFN
供应商设备封装:
PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装:
Digi-Reel®
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