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分离式半导体产品 BSZ086P03NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSZ086P03NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 5,000 5,000:$0.40033
10,000:$0.38378
25,000:$0.37324
50,000:$0.36120
BSZ086P03NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.6 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.9V @ 105µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 57.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4785pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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