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分离式半导体产品 BSC886N03LS G品牌、价格、PDF参数

BSC886N03LS G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC886N03LS G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 10,000 1:$1.07000
10:$0.95600
25:$0.84360
100:$0.75920
250:$0.66084
500:$0.59052
1,000:$0.46398
2,500:$0.43586
BSC886N03LS G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 10,000 1:$1.07000
10:$0.95600
25:$0.84360
100:$0.75920
250:$0.66084
500:$0.59052
1,000:$0.46398
2,500:$0.43586
BSC886N03LS G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 65A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 15V
功率 - 最大: 39W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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