型号
分离式半导体产品 BSC886N03LS G品牌、价格、PDF参数
BSC886N03LS G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
BSC886N03LS G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
10,000
1:$1.07000
10:$0.95600
25:$0.84360
100:$0.75920
250:$0.66084
500:$0.59052
1,000:$0.46398
2,500:$0.43586
BSC886N03LS G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
10,000
1:$1.07000
10:$0.95600
25:$0.84360
100:$0.75920
250:$0.66084
500:$0.59052
1,000:$0.46398
2,500:$0.43586
BSC886N03LS G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
65A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
6 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2100pF @ 15V
功率 - 最大:
39W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-PowerTDFN
供应商设备封装:
PG-TDSON-8
包装:
Digi-Reel®
电子产品资料
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