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分离式半导体产品 IRFHM831TR2PBF品牌、价格、PDF参数

IRFHM831TR2PBF • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IRFHM831TR2PBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 2,400 400:$0.54705
800:$0.51668
1,200:$0.48409
2,800:$0.46321
10,000:$0.42398
40,000:$0.40911
IRFHM831TR2PBF • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.8 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1050pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: PQFN（3x3）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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