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分离式半导体产品 IPB021N06N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB021N06N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB021N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 1,799 1:$4.19000
10:$3.77400
25:$3.42440
100:$3.07490
250:$2.79540
500:$2.44598
IPP076N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 461 1:$3.06000
10:$2.73600
25:$2.46200
100:$2.24330
250:$2.02444
500:$1.81654
1,000:$1.53202
2,500:$1.45542
5,000:$1.39523
IPB021N06N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 196µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 275nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 30V
功率 - 最大: 250W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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