型号
分离式半导体产品 IPB021N06N3 G品牌、价格、PDF参数
IPB021N06N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPB021N06N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
1,000
1,000:$1.95678
2,000:$1.85894
5,000:$1.78207
10,000:$1.73315
25,000:$1.67724
IPB021N06N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
2.1 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 196µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
275nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
23000pF @ 30V
功率 - 最大:
250W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:
PG-TO263-2
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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