型号
分离式半导体产品 IRFHM830DTR2PBF品牌、价格、PDF参数
IRFHM830DTR2PBF
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IRFHM830DTR2PBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
800
400:$0.73853
800:$0.69753
1,200:$0.65353
2,800:$0.62533
10,000:$0.57237
40,000:$0.55229
IRFHM830DTR2PBF
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
4.3 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.35V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1797pF @ 25V
功率 - 最大:
2.8W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装:
PQFN(3x3)
包装:
带卷 (TR)
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