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分离式半导体产品 IPD600N25N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD600N25N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 12,140 1:$2.74000
10:$2.34700
25:$2.11240
100:$1.91690
250:$1.72128
500:$1.48656
1,000:$1.25184
BSZ0901NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 7,996 1:$2.70000
10:$2.31700
25:$2.08480
100:$1.89190
250:$1.69884
500:$1.46718
1,000:$1.23552
2,500:$1.11969
IPD600N25N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: 剪切带 (CT)
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