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分离式半导体产品 IPP072N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPP072N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPP072N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 2,254 1:$2.46000
10:$2.22400
25:$1.98600
100:$1.78740
250:$1.58880
500:$1.39020
1,000:$1.15188
2,500:$1.07244
5,000:$1.03272
IPP072N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.2 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4910pF @ 50V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: PG-TO220-3
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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