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分离式半导体产品 IPB65R110CFD品牌、价格、PDF参数

IPB65R110CFD • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB65R110CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 1,552 1:$8.18000
10:$7.41200
25:$6.79440
100:$6.17660
250:$5.55896
500:$5.09570
IPB65R110CFD • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 31.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫欧 @ 12.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 1.3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3240pF @ 100V
功率 - 最大: 277.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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