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分离式半导体产品 IPB65R660CFD品牌、价格、PDF参数

IPB65R660CFD • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263 1,585 1:$3.39000
10:$2.90200
25:$2.61160
100:$2.36960
250:$2.12784
500:$1.83768
IPB65R660CFD • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 660 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 615pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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