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分离式半导体产品 SI7143DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI7143DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 5,066 1:$1.52000
25:$1.20000
100:$1.08000
250:$0.94000
500:$0.84000
1,000:$0.66000
SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 3,000 3,000:$0.56000
6,000:$0.53200
15,000:$0.51000
30,000:$0.49600
75,000:$0.48000
SI7143DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 35A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫欧 @ 16.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2230pF @ 15V
功率 - 最大: 35.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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