分离式半导体产品 SI4463BDY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4463BDY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC 0 2,500:$0.60667
SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK 587 1:$1.44000
25:$1.13400
100:$1.02060
250:$0.88832
500:$0.79380
1,000:$0.62370
SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK 587 1:$1.44000
25:$1.13400
100:$1.02060
250:$0.88832
500:$0.79380
1,000:$0.62370
SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK 0 3,000:$0.52920
6,000:$0.50274
15,000:$0.48195
30,000:$0.46872
75,000:$0.45360
SI4463BDY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 13.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)