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分离式半导体产品 SIR804DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIR804DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIR804DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 5,465 1:$3.21000
25:$2.47880
100:$2.24910
250:$2.01960
500:$1.74420
1,000:$1.46880
SIR804DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 3,000 3,000:$1.23930
6,000:$1.19340
15,000:$1.14750
30,000:$1.12455
75,000:$1.10160
SIR804DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.2 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2450pF @ 50V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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