分离式半导体产品 SIE868DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE868DF-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SIE868DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK	5,945	1:$2.84000 25:$2.18720 100:$1.98450 250:$1.78200 500:$1.53900 1,000:$1.29600
SIE868DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK	3,000	3,000:$1.09350 6,000:$1.05300 15,000:$1.01250 30,000:$0.99225 75,000:$0.97200

SIE868DF-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	2.3 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	145nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	6100pF @ 20V
功率 - 最大:	125W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	10-PolarPAK?（L）
供应商设备封装:	10-PolarPAK?（L）
包装:	剪切带 (CT)

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