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分离式半导体产品 SIHD7N60E-GE3品牌、价格、PDF参数

SIHD7N60E-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHD7N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N CH 600V 7A TO-252 3,000 1:$2.01000
25:$1.62000
100:$1.45800
250:$1.29600
500:$1.13400
1,000:$0.93960
2,500:$0.87480
5,000:$0.84240
SIE854DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK 5,026 1:$4.29000
25:$3.50360
100:$3.14600
250:$2.86000
500:$2.50250
1,000:$2.14500
SIHD7N60E-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 600 毫欧 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 680pF @ 100V
功率 - 最大: 78W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 散装
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