型号
分离式半导体产品 SIE854DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIE854DF-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIE854DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK
5,026
1:$4.29000
25:$3.50360
100:$3.14600
250:$2.86000
500:$2.50250
1,000:$2.14500
SIE854DF-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
14.2 毫欧 @ 13.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
3100pF @ 50V
功率 - 最大:
125W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
10-PolarPAK?(L)
供应商设备封装:
10-PolarPAK?(L)
包装:
Digi-Reel®
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